évaporation par faisceau électronique

Français[modifier le wikicode]

Étymologie[modifier le wikicode]

Locution composée de évaporation, par et faisceau électronique.

Locution nominale [modifier le wikicode]

Singulier	Pluriel
évaporation par faisceau électronique	évaporations par faisceau électronique
\e.va.pɔ.ʁa.sjɔ̃ paʁ fɛ.so e.lɛk.tʁɔ.nik\

évaporation par faisceau électronique \e.va.pɔ.ʁa.sjɔ̃ paʁ fɛ.so e.lɛk.tʁɔ.nik\ féminin

(Physique, Technique, Industrie) Variante de évaporation par faisceau d’électrons (cf. pour autres informations) : évaporation sous vide, où le chauffage de la matière à déposer se fait par faisceau électronique.
- A titre de comparaison, notons que les valeurs du coefficient R trouvées par V. Stary et al. [32] pour les couches minces de Ni déposées par évaporation par faisceau électronique sur des substrats de mica et pour une épaisseur t = 4 nm, sont comprises entre 0.3 et 0.7, après un traitement thermique. — (Hemmous Messaoud, Étude des propriétés structurales et électriques des couches minces de Ni/Si (100) et de Ni/verre déposées par évaporation sous vide. : Mémoire de magister en physique du solide, Université Ferhat Abbas Sétif, Sétif, 2007)
- À titre de comparaison, on peut noter que des couches minces de platine (Pt) ayant une épaisseur d'environ 10 nm, fabriquées dans les conditions optimales à l’aide de la méthode d’évaporation par faisceau électronique, augmentent la rugosité du substrat de silicium (Si) de 0.28 - 0.6 mm [12]. Il est à noter que les surfaces des couches fabriquées par pulvérisation ont généralement une rugosité plus petite que celles fabriquées à l’aide de la méthode d’évaporation par faisceau électronique [12]. — (Marius Grigonis, Miroirs multicouches C/Si à incidence normale pour la région spectrale 25-40 nanomètres : Thèse de doctorat, Université Laval, Québec, 1997)